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光刻掩膜版線寬對光刻光強的影響
【2021-09-30】

  光刻工藝其實就是一系列圖形轉移的過程,類似于照片印刷。首先,通過特定方式將版圖轉移到掩膜版表面。光刻過程中,光線透過掩膜版在硅片表面的光刻膠中形成掩膜圖形空間像,光刻膠感光后,經過定影顯影的步驟后將掩膜圖形轉移到光刻膠上,而后經過若干步驟再將掩膜圖形從光刻膠表面轉移到硅片表面,最終實現版圖圖形向硅片表面的轉移,然而,由于作業物理系統和實際環境的各種限制,這種圖形轉移過程不可能會是完全精確的,通常存在各種畸變。光刻過程中增加激光線寬使空間成像質量變差,較大的線寬也導致了曝光寬容度的損失。


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