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光刻就是利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕將光掩膜上的圖形轉移到襯底上，是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟。光刻掩膜板的基本原理是利用光刻膠感光后發(fā)生光化學反應而具備耐蝕性的特點，將掩膜版上的圖形刻制到被加工表面上。所以光刻機主要性能指標與光源及機器精度密切相關。
與光源相關的性能指標有：光源波長、光強均勻性。
與機器精度相關的性能指標有：光刻精度、曝光方式、對準精度
超高精度光刻掩膜版
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