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　　2003年，光刻掩膜版的90nm工藝的主流光刻技術是193nm準分子激光掃描分布投影光刻機（ArF Scanner），全球的光學光刻機巨頭Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。

　　特征尺寸為45nm的光刻技術包括193nm ArF干法光刻技術、193nm ArF浸沒式光刻技術二次成像與二次曝光技術、帶有其他液體的193nm浸沒式光刻技術、極短紫外光刻技術（EUV）以及無掩膜光刻技術。

　　在上述納米尺寸光刻加工涉及到的工藝技術中，可以了解到除了無掩膜光刻技術和納米壓印光刻技術，都可以進行掩膜版光刻。我們不能否認的是，掩膜版成本較高至今還是納米工藝達到量產的難點之一。