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光掩膜基版工序是微電子制造過程中的圖形轉移工具或母版，用來承載圖形設計和工藝技術等知識產權信息的重要載體。

在微納(MEMS)加工過程中，光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉移到整個硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。    

掩膜版主要由基板和遮光膜兩個部分組成,而基板分為樹脂基板和玻璃基板。

在實際應用過程中制作掩模版的掩膜基板需要內部及兩表面都無缺陷。同時與光刻膠的曝光波長下有高的光學透射率。

常用制作掩模版的材質有石英玻璃，蘇打玻璃等。

根據遮光膜種類的不同，可以分為硬質遮光膜和乳膠。

而光掩膜按用途分類可分為四種：分別為鉻版(chrome)、干版、液體凸版和菲林。其中，鉻版精度最高，耐用性更好，鉻是最廣泛應用的材料，它以濺射或蒸發的方式淀積到圓片上。盡管濺射鉻比蒸發鉻的反射性強，但用抗反射膜可以彌補。抗反射膜包含一層薄的（200A）的Cr2O3，從而降低反射率。 鉻版廣泛應用于平板顯示、IC、印刷線路板和精細電子元器件行業；干版、液體凸版和菲林主要用于中低精度LCD行業、PCB及IC載板等行業。